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答IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。

GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。沟道在紧靠栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区（包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。

而在漏胡亩猛区裤桥另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作耐冲用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极（即集电极C）。

答igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor。

igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管的意扒枣尺思。它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或的变流系统中使用。

igbt是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式岩贺功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载春高流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

答IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。向左转|向右转扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺棚悔点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET电流)；一个空穴电流(双极)。关断

当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾渗春流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种链喊正作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。

答IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管）的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广纤兆泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极、发射极间电压（符号：VCES）：栅极、发射极间短路时的集电极，发射极间的最大电压。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数族运： 栅极发极间电压（符号：VGES ）：集电极、发射极间短路时的栅极，发射极间最大电压。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 集电极电流（符号：IC ）：集电极所允许的最大直流电流。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 耗散功率（符号：PC）：单个IGBT所允许的最大耗散功率。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 结温（符号：Tj）：元件连续工作时芯片温厦。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 关断电流（符号：ICES ）：栅极、发射极间短路，在集电极、发射极间加上指定的电压时的集电极电流。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 漏电流（符号：IGES ）：集电极、发射极间短路，在栅极、集电极间加上指定的电压时的栅极漏电流。

IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块的参数： 饱和压降（符号：V CE（sat） ）：在指定的集电极电流和栅极电压的情况下，集电极、发射极间的电压。

IGBT（绝缘栅双极晶体兆竖梁管）模块的参数： 输入电容（符号：Clss ）：集电极、发射极间处于交流短路状态，在栅极、发射极间及集电极、发射极间加上指定电压时，栅极、发射极间的电容。

答IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)

绝缘栅双极型功率管

是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱铅猛动功率很小，开关快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场铅激汪效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高

非常适合应用于直流电压为600V及的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域

IGBT器件将不断开拓新的应用领域，为高效节能、节材，为新能源、工业自动化(高频电焊机, 高频超声波, 逆变器, 斩波器, UPS/EPS, 感应加热)提供了新的商机。

简单点说就是大功率的开关器件

具体可以参考百度百科：

主要作用是：变频器，光伏逆变器，风电变流器等

1，工业方面：电焊机，工业加热，电镀电源等。

2，电器方面：电磁炉，商用电磁炉，变频空调，变频冰箱等。

3，新能源方面：风力发电，电动汽车等。

总之，IGBT已经应用到生活的各个方面了，只要牵扯到电力槐仔，与开关的地方就能用到它

主要应用领域：

从上文，大家可以得知关于igbt是什么的一些信息，相信看完本文的你，已经知道怎么做了，窝牛号希望这篇文章对大家有帮助。

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