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答13001不能用13003代替，如果非要换上的话，后果就是换上一通电就炸裂。数羡还有斗毕纯可能损坏后面的元器件。但是13003的可以用13001的代替！以下是13001和13003的主要参数：

13001主要参数：

集电极-基极最高耐压VCBO=500V

集电极-发射极最高耐压VCEO=400V

发射极-基极最高耐压VEBO=9V

集电极电流IC=0.3A

耗散功率PC=7W

13003主要参数：

集电极-基极电压VCBO

700

V

集电极-发射极电压VCEO

400

V

发射极-基极电压VEBO

9V

集电极电空咐流IC

2.0

A

集电极耗散功率PC

40

W

答13003为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。

NPN晶体管是晶体管的一种，当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而集电极C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。

扩展资料

制造工艺设计

1、首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底，掺杂为均匀的砷杂质，浓度为2.0e16/cm3，然后在基底上注入能量为18ev，浓度启野磨脊并为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，淀积一层厚度为0.3um的多悄斗晶硅，

淀积过后，马上进行多晶硅掺杂，掺杂为能量50ev，浓度7.5e15/cm3的砷杂质，接着进行多晶硅栅的刻蚀（刻蚀位置在0.2um处）此时形成N++型杂质（发射区）。

刻蚀后进行多晶氧化，由于氧化是在一个图形化（即非平面）以及没有损伤的多晶上进行的，所以使用的模型将会是fermi以及compress，进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火，接着进行离子注入

注入能量18ev，浓度2.5e13/cm3的杂质硼，随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀，再一次注入硼，能量30ev，浓度1.0e15/cm3，形成P+杂质（基区）并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构，最后淀积铝电极 。 

参考资料来源：百度百科-NPN型晶体管

答13003为中功率NPN型晶体管，主要作为电源开关管用。小型的开关电源，及电子整流器都用这个管子。

字面朝自己，管脚朝下，从左至右御大坦三脚依次为ECB。耐压VCEO=400V。最大电流ICM=1.5A，放大倍数Hfe约为5至25倍。

MJE13003三极管是主要用于节能灯及荧光灯电子镇流器的高反压大功率开关三极管，硅NPN型，采用TO-126封装。

扩展资料：

MJE13003三极管主要参数

集电极-基极电压VCBO 700 V

集电极-发射极电压VCEO 400 V

发射极-基仿野极电压VEBO 9V

集电极电流IC 2.0 A

集电极耗散功率PC 40 W

最高工作温度Tj 150 °C

贮存温度Tstg -65-150 °C

集电极-基极截止电流ICBO （VCB=700V） 100 μA

集电极-发射极截止电流ICEO （VCE=400V，IB=0） 250 μA

集电极-发射极电压VCEO （IC=10mA，IB=0） 400 V

发射极 -基极电压VEBO （IE=1mA，IC=0） 9 V

直流电流放大倍数5~40

叁镇桐考资料来源：百度百科三极管-13003

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