今天窝牛号就给我们广大朋友来聊聊raid控制器是什么,以下关于raid控制芯片介绍的观点希望能帮助到您找到想要的科技。

接前文：《Dell PERC12 (H965i)：带风扇的RAID卡重现江湖》

本来我没想连续两天晚上写东西，然而有2个原因又导致我不得不写：

1、昨天引用的资料，有个别配置信息不准确之处；

2、我找到了PERC 12的那一份完整测试报告。

这份RAID卡性能测试报告来自www.tolly.com，文末我会把下载链接分享出来。

如上表，H965i PCIe Adapter就是昨天提到带风扇的标准尺寸RAID卡，可用于机架和塔式服务器。特别是在塔式机箱中，风扇转速和气流量相对较低一些，这时RAID卡主动散热的意义更大。

昨天我没注意到PERC 12系列还有一款外部接口的H965e RAID卡，尽管也是兼容SAS/SATA或者NVMe驱动器，但我觉得它的主要用途，应该还是外接JBOD——支持新款的24Gb SAS扩展柜。毕竟PCIe信号跨机箱拓扑的应用不太多，并且有点容易成为瓶颈，未来外部扩展NVMe SSD的趋势应该还是通过以太网NVMe-oF。

扩展阅读：《NVMe-oF存储扩展：EBOF、FBOF、EBOD生态详解》

三代PERC RAID卡SAS SSD阵列性能

上面这个图表并没有要更正的部分，只是补充下RAID 0的性能——顺序写并没有比RAID 5高太多；而160万的4K随机写IOPS也只是比上一代PERC 11高了一点。好在RAID 0用的相对不多。

SAS SSD延时和重构性能：单组16盘RAID 5测试

如上表，在昨天文章中我引用的截图里，写的是4组4块盘的RAID 5。而原始报告本身，还是用1组16盘的RAID 5 VD来验证SAS SSD的延时和Rebuild性能。

完整延时的对比我就不细讲了。1x 16 RAID5的性能还是比4x 4 RAID5要低一些——随机写跑到50万IOPS（实际能力还要再高一点吧？），Rebuild时按照75%左右来计算大约就是35万。

NVMe SSD性能测试：使用2x 4盘RAID 5

有了详细测试配置，性能数字就好解释了。大家都知道RAID 5的写惩罚=4（特别是随机写），这样8块SSD一共2组VD跑出65万4K随机写IOPS，就相当于单盘发挥出了32-33万IOPS的水平（当然SSD还有读比写快的特点）。PERC 12的效率着实不低了。

结合下面列出的平台配置信息，我们还能发现更多东西：）

测试平台配置：SSD RAID写缓存策略AWB

首先是SAS SSD测试平台——H965i RAID卡用在PowerEdge R760 2U服务器上。24G SAS SSD使用了三星最新的PM1655，应该是DWPD=3的读写混合用途（更适合跑性能测试）。

在RAID写缓存策略上，包括PERC 11 H755在内的传统RAID卡，一般都建议设为WT（写通）以避免影响SSD性能发挥；而最新的PERC 12不同了，AWB应该是Always Write-back（总是写回）的缩写。估计这就是Broadcom新一代RAID控制芯片算法改进的一个表现。

再来看看NVMe SSD测试平台——这里在1U R660服务器上用的RAID卡型号应该是写错了（大家看资料时也宽容一点吧）。

H965i RAID卡是直连8个PCIe Gen4 NVMe SSD（仍然是三星MU读写混合用途），总共16 lane分配到每个SSD就是PCIe 4.0 x2的带宽（相当于PCIe 3.0 x4）。这并没有影响PERC 12读性能的发挥；而我估计Broadcom MegaRAID 96xx公布的90-110万RAID 5随机写IOPS，应该要连接更多数量的NVMe SSD（或者更快的盘？），并且中间加了PCIe Switch。

虽然PERC 12这最新一代RAID卡性能提高很多，但还是受限于PCIe 4.0接口速率。面对接下来的PCIe 5.0 NVMe SSD（估计是EDSFF E3.S形态居多），当前的硬RAID卡还是面临接口带宽和处理能力的瓶颈，这些就留给未来的PCIe 5.0 RAID卡来缓解吧：）

参考资料

https://infohub.delltechnologies.com/section-assets/tolly223103delltechnologiespoweredgeraidcontroller12performance

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