华为Mate60系列面世之后，引发了外界的广泛猜想，其中令所有人都没有想到的就是麒麟9000S芯片。因为华为在没有任何征兆的情况下，发布了搭载麒麟9000s芯片的华为Mate60系列，所以外界都非常关心，华为的麒麟9000s芯片到底是什么来头。

另外国外多个实验室都在第一时间拿到了华为Mate60手机，并且对手机进行拆解，想要弄清楚麒麟9000s芯片到底采用的是什么工艺制造，性能到底如何。而麒麟9000s的工艺水平之高让国外媒体直接傻眼，因为麒麟9000s芯片既可以被看作是14纳米的芯片，同时也可以被看成是7纳米或者5纳米的芯片。

为什么这么说呢，让我们继续看下文。

制造7纳米制程的芯片需要借助高精度、高难度的技术手段，其中包括极紫外光刻（EUV）技术、电子束光刻（EBL）技术、离子束刻蚀（IBE）技术等。这些技术不仅要求长期的研发和实验验证，还需要具备高水平的技术团队和先进的实验设备。在这个背景下，麒麟9000s芯片的制造确实存在许多未知因素，特别是没有明确的信息透露其采用了7纳米工艺制造。

这也引发了关于麒麟9000s的制造工艺的猜测和讨论。毕竟，芯片的制程工艺对于性能和功耗都有着重要影响，而制程的细节通常是处理器制造商的商业机密。因此，确切的制程信息通常需要由芯片制造商正式公布。鉴于麒麟9000s的制造背后的保密性，目前无法确定它是否采用了7纳米工艺，但它无疑是华为在芯片领域的一项重要突破，展示了华为在半导体技术方面的实力。

而麒麟9000s采用的N+2工艺制造，和某芯国际的14纳米制造工艺类似，所以外界普遍认为麒麟9000s芯片是14纳米工艺制造，但是采用的多重曝光制造方式。而多重曝光方式制造之后，可以增加晶体管的数量。比如TechInsights机构对麒麟9000S进行了电镜扫描，得出晶体管密度为98MTr/mm²，相当于0.98亿个每平方毫米。

麒麟9000s芯片之所以被认为是一款等效于7纳米工艺的芯片，是因为它在晶体管密度方面表现出色。通常来说，晶体管密度是衡量芯片制程工艺的一项重要指标，更高的晶体管密度意味着更多的晶体管可以在芯片上容纳，从而提供更好的性能和功耗表现。

举例来说，台积电的7纳米工艺时的晶体管密度为97MTr/mm²，而三星的7纳米工艺则为95MTr/mm²。而麒麟9000s芯片的晶体管密度高达98MTr/mm²，与台积电和三星的7纳米芯片工艺相媲美，非常接近。这意味着，尽管麒麟9000s芯片的具体制程工艺没有公开，但从晶体管密度的角度来看，它在性能和功耗方面可能达到了与7纳米工艺相当的水平，显示了华为在半导体制程技术方面的突破。这也是为什么它被称为“等效7纳米”的原因。

14纳米工艺经过技术升级，工艺参数基本没变，但生产出来的芯片其晶体管密度达到了7纳米芯片的密度，它还是14纳米工艺么？你可以认为是14纳米，也可以认为是7纳米。

当然除了制造工艺和芯片的晶体管密度之外，芯片的性能往往也会成为划分的标准之一。比如麒麟9000s芯片的性能根据外界的测试，普遍认为和高通骁龙888芯片一致，而高通骁龙888芯片是一枚5纳米工艺的芯片，如果从性能上来划分，麒麟9000s也可以被看成是一枚5纳米的芯片。

半导体制程工艺的命名一直以来都是一项复杂而具有挑战性的任务。不同的半导体制造厂商有各自的标准和方式来描述它们的工艺制程，这常常导致了一些混淆。例如，像英特尔将10纳米工艺命名为&34;，意在传达整体制造工艺的高级程度与7纳米工艺相媲美或接近。同样，将7纳米工艺命名为&34;则表明它的整体制造工艺与4纳米工艺有着相近的水平。

进入等效法后，要判断一颗芯片究竟是几纳米制程变得更加复杂，因为没有明确的标准来定义纳米级别。现在，不同制造厂商可能会采用不同的命名方式来描述他们的工艺，而这些命名方式可能不再直接与具体的纳米数值对应。因此，半导体产业可能会出现多种制程命名，这需要人们深入了解和比较不同制程工艺，以更好地理解其性能和技术水平。

所以麒麟9000s芯片既可以被看作是14纳米的芯片，同时也可以被看成是7纳米或者5纳米的芯片，你们觉得呢？

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